IGZO 타겟은 투명 전도성 산화물 (TCO) 박막 트랜지스터 (TFT) 의 제조에 사용되는 중요한 재료이다. 산화 인듐 (In₂ Oost), 산화 갈륨 (Ga₂ Oost), 산화 아연 (ZnO) 으로 구성된 복합 재료입니다. IGZO TFT는 높은 전자 이동성, 투명성 및 낮은 전력 소비와 같은 우수한 성능을 제공합니다. 따라서, IGZO 타겟은 전자 산업, 특히 LCD, OLED 및 터치 스크린의 생산에서 매우 요구되고 있다.
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높은 순도-일관되고 신뢰할 수있는 증착 프로세스를 보장합니다.
균일 한 조성-스퍼터링 공정 동안 일관된 필름 특성을 달성한다.
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좋은 열 안정성
호환성
높은 캐리어 이동성
비정질 상 유지
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| 재산 | 세부 사항 |
| 기호 | IGZO |
| 전형적인 구성 | 에서: Ga:Zn= 1:1:1:1:4 (원자 비율); 사용 가능한 다른 조성물 |
| 순도 | 4N + (99.99% 이상) |
| 양식 | 비행기; 로타리 |
| 색상 | 밝은 회색 |
| 모양 | 디스크, 플레이트, 열 대상, 맞춤 제작 |
| 전형적인 밀도 | ≥ 6.30g/cm³ |
| 전형적인 차원 | -평면: 단일 세그먼트 용 L300-1100mm -로타리: 단일 세그먼트 용 L300-700mm 기타 치수 사용 가능 |
인듐 갈륨 산화 아연 스퍼터링 타겟을 고객에게 안전하게 전달하기 위해 쿠션 재료와 외부 상자 (작은 IGZO 대상) 를 사용합니다. 또는 포장을위한 상자 (큰 IGZO 표적의 경우).
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IGZO (인듐-갈륨-아연 산화물) 타겟은 우수한 전기적 및 광학적 특성을 나타내는 투명 전도성 산화물 (TCO) 의 박막을 생성하기 위해 스퍼터 증착 공정에 사용된다. 스퍼터 증착 동안, 아르곤과 같은 양전하를 띤 이온은 음전하를 띤 IGZO 타겟을 향해 가속된다. 이러한 이온의 충격은 타겟 표면으로부터 원자를 방출하고, 이어서 기판 상에 증착되어 박막을 형성한다.
IGZO 타겟의 인듐, 갈륨 및 아연 산화물 재료 특성은 개선된 전자 성능을 갖는 고품질 박막의 형성을 가능하게 한다. IGZO 타겟에서 갈륨의 존재는 더 높은 전자 이동도를 허용하는 반면, 아연은 결정 구조를 안정화시키고 격자 결함을 감소시키는 것을 돕는다. 이러한 특성으로 인해 IGZO 타겟은 높은 전기 전도성, 투명성으로 인해 LCD 디스플레이 및 터치 스크린에서 발견되는 것과 같은 박막 트랜지스터 (TFT) 를 만드는 데 널리 사용됩니다. 그리고 낮은 전력 소비.
전반적으로 IGZO 타겟의 작동 원리는 탁월한 전기 및 광학 특성을 가진 고품질 TCO 박막을 만들기 위해 스퍼터 증착 기술을 사용하여 전자 장치에서 귀중한 구성 요소로 만드는 것입니다.
IGZO 타겟의 제조는 제조 공정의 복잡성 및 인듐, 갈륨 및 아연의 사용과 관련된 높은 비용을 포함하는 몇 가지 과제에 직면한다. 또한, 타겟 제조에 적합한 고품질 IGZO 분말의 가용성이 제한될 수 있어, 제조 비용을 더욱 증가시킬 수 있다.
그러나 이러한 도전에도 불구하고 현장에서 추가 개발 및 혁신을위한 몇 가지 기회가 있습니다. 한 가지 중요한 기회는 IGZO 표적에서 인듐, 갈륨 및 아연의 사용을 대체하거나 감소시킬 수 있는 잠재적인 대체 물질에 대한 지속적인 연구이다. 다른 기회로는 비용을 줄이고 효율성을 높이기 위해 목표 제조 및 소결 공정의 최적화가 포함됩니다.
또한, LCD 디스플레이, OLED 및 터치 스크린과 같은 전자 장치에 대한 수요가 계속 증가함에 따라 IGZO 목표 시장은 지속적인 수요를 볼 것으로 예상됩니다. 이러한 수요를 충족시키기 위해 업계 선수들은 생산을 개선하고 비용을 낮추기 위해 협력 및 파트너십을 추구하고 있습니다.
결론적으로, IGZO 목표의 제조는 과제에 직면하고 있지만, 연구, 개발 및 협업의 기회는 전자 산업에 상당한 영향을 미칠 잠재력과 함께이 분야에서 계속 발전하고 있습니다.
IGZO 타겟의 제조 공정은 IGZO 분말의 생산, 타겟 제조 및 소결을 포함한 여러 단계를 포함한다.
첫 번째 단계는 고체 반응, 분무 열분해 및 펄스 레이저 증착과 같은 기술을 사용하여 IGZO 분말을 생산하는 것입니다. 이들 방법은 조절된 입자 크기 및 조성을 갖는 고품질 IGZO 분말을 생성한다.
제 2 단계에서, IGZO 분말은 15-30 MPa 사이의 압력을 갖는 유압 프레스를 사용하여 목표 형상으로 가압된다. 분말을 다이에 넣고 균일 한 밀도와 모양을 보장하기 위해 연속 압력을가합니다.
마지막으로, 소결 단계는 진공 또는 제어된 대기로에서 고온, 전형적으로 약 1500 ℃에서 IGZO 타겟을 가열하는 단계를 포함한다. 이 공정은 IGZO 분말 입자를 함께 융합시켜 스퍼터링 공정에 사용하기에 적합한 조밀하고 균일한 타겟 재료를 형성한다.
전반적으로, IGZO 타겟의 제조 공정은 정확한 목표 제조 및 소결 조건뿐만 아니라 IGZO 분말의 입자 크기 및 조성의 신중한 제어를 요구한다. 이러한 변수는 IGZO 타겟의 최종 품질과 성능에 상당한 영향을 미칠 수 있으므로 제조 공정 전반에 걸쳐 일관성과 정확성을 보장하는 것이 중요합니다.
IGZO (인듐 갈륨 산화 아연) 스퍼터링 타겟의 조성은 전형적으로 In: Ga: Zn = 1:1:1:1:4 의 원자 비율을 따른다. 이것은 인듐 (In) 의 모든 원자에 대해 갈륨 (Ga) 원자 1 개, 아연 (Zn) 원자 1 개, 산소 (O) 원자 4 개가 있음을 의미합니다. 재료에. 이러한 특정 조성물은 바람직한 전기적 및 광학적 특성을 위해 선택되어, IGZO를 디스플레이 및 다른 전자 장치용 박막 트랜지스터 (TFT) 에 적용하기에 적합하다.
IGZO (인듐 갈륨 산화 아연) 타겟은 주로 스퍼터링으로 알려진 증착 공정에 사용되며, 여기서 IGZO의 박막은 유리 또는 가요성 재료와 같은 기판 상에 증착된다. 이러한 목표는 다음을 포함하여 다양한 전자 장치에 사용되는 박막 트랜지스터 (TFT) 의 생산에 중요합니다.
LCD 디스플레이: IGZO TFT는 높은 전자 이동성으로 유명하여 LCD 패널에서 더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 해상도를 제공합니다.
OLED 디스플레이: IGZO TFT는 OLED 디스플레이에도 사용되어 더 높은 픽셀 밀도와 향상된 성능을 달성하는 데 도움이됩니다.
터치 패널: IGZO 기술을 통해 높은 감도와 내구성으로 반응 형 터치 패널을 만들 수 있습니다.
유연한 전자 제품: 유연성과 투명성으로 인해 IGZO는 구부릴 수있는 디스플레이 및 웨어러블 전자 장치와 같은 유연한 전자 장치에 사용하기에 적합합니다.
IGZO 스퍼터링 타겟은 고성능, 에너지 효율 및 시각적으로 우수한 전자 디스플레이 및 장치의 생산을 가능하게함으로써 디스플레이 기술을 발전시키는 데 중요한 역할을합니다.
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